更新(10/29)
以下の論文がacceptされました。
Journal of Physics D: Applied Physics 58 (2025) 015309 (8 pages).
Influence of sulfurization process in tin sulfide and sulfur mixed vapors on the morphology of Cu2SnS3 thin films.
gate io |
更新(10/29)
以下の発表をします。
PVSEC35
(International Photovoltaic Science and Engineering Conference 35)
[Tu2-P42-03] Electrical properties of the Cu2Sn1-xGexS3 absorbing layer in solar cells as determined by admittance spectroscopy
and related methods.
[Tu2-P42-14] Na doping effects for photoluminescence of Cu2Sn1-xGexS3 thin films. |
更新(10/29)
以下の発表をしました。
ICTMC22
(The 22nd International Conference on Ternary and Multinary Compounds )
[P036] Influence of sulfurization in controlled Sn-S and S mixed vapors
on properties of Cu2SnS3 thin films.
[P035] Cu2SnS3 thin films deposition on Mo-coated substrates by dual-source Fine channel mist CVD method for CTS solar cell fabrication.
[P034] Temperature-dependent study of the electrical properties of germanium-doped
tin(I) sulfide thin films. |
更新(10/29)
以下の発表をしました。
応用物理学会秋季学術講演会
[19p-P07-8] 溶液浸漬による透明太陽電池光吸収層CuBr1-xIx の膜質改善
[19p-P07-9] GexSn1-xS薄膜太陽電池における電気測定を用いた欠陥準位の調査 |
更新(10/29)以下の発表をしました。
第21回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
(第 4 回日本太陽光発電学会学術講演会）
[PC-8] Admittance spectroscopy 法による Cu2(Sn1-xGex)S3 太陽電池の欠陥評価 |
更新(8/20)
以下の論文がacceptされました。
Ceramics International 50 (2024) 37431-37347.
Formation of macroscopic black dots in transparent alumina ceramics prepared
by pulsed electric current sintering
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2024.06.146 |
更新(8/20)
以下の論文がacceptされました。
Thin Solid Films 803 (2024) 140481.
Electrical transport properties of Cu2Sn1-xGexS3 films with varying x ratios
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2024.140481
|
更新(6/17)
以下の論文がacceptされました。
Thin Solid Films 800 (2024) 140410.
Effect of Ge inclusion on surface morphologies and the growth mechanism
of Cu2(Sn1-xGex)S3 films grown by the sulfurization of Ge/Cu/SnS precursors
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2024.140410 |
更新(4/15)
科研費 基盤Bに採択されました。少数キャリア動的挙動制御による高効率かつ有毒・希少元素フリー薄膜太陽電池の創生 |
