 
●TiO2微粒子表面がpn接合になるのでpn接合面が増える
●吸収しきれなかった光が微粒子で散乱されぐるぐる回るので
最終的には全て吸収される（はず）
●p型半導体が非常に薄くなるのでキャリア再結合が減る
●非真空下で作れる
以上より，効率改善，低コスト化が期待されています．
● 素子の作製法
半導体三層は全て大気圧下で成膜
界面層 →CdS 化学溶液堆積法（ＣＢＤ法）
吸収層→ＣＺＴＳ スプレー熱分解法
●最高効率 1.50%
●文献など
"Surface Morphology
Improvement of Three-dimensional Solar Cell with Cu2ZnSnS4 Absorber ", Journal of Alloys and Compounds 571 (2013) 98–102.
“Fabrication of 3D structure solar cell with Cu2ZnSnS4”
Japanese Journal of Applied Physics, 51 (2012) 10NC33.
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