| 更新(2/22) 応用物理学会春季学術講演会で以下の発表をします。 [24p-P06-5]抵抗加熱蒸着法によるCu2Sn1-xSixS3薄膜の作製 [24p-P06-6]ZnOバッファ層を用いたCTS薄膜太陽電池の作製 [24p-P06-7]温度依存J-V測定におけるCu2(Sn1-xGex)S3太陽電池の電気特性評価 [24p-P06-8]NaF蒸着Cu2Sn1-xGexS3薄膜のフォトルミネッセンス [22p-71B-2]光学特性観測による銅硫化物系太陽電池光吸収層材料の評価(招待講演) |
| 更新(2/22) 以下の論文がアクセプトされました Journal of Materials Science: Materials in Electronics 35 (2024) 526 (12 pages) Effects of the growth process on surface morphology of Cu2(Sn1-xGex)S3 thin films https://doi.org/10.1007/s10854-024-12248-6 |
| 更新(2/22) 以下の論文がアクセプトされました Japanese Journal of Applied Physics 63 (2024) 031002 (5 pages) Fabrication of ZnO/CuBr 1- x I x microstructural transparent solar cells with buffer layer https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad27a1 |
| 更新(2/22) 以下の論文がアクセプトされました J. Phys. D: Appl. Phys. 57 (2024) 025502(9 pages) Influence of thiourea concentration during deposition of a CdS buffer layer on the electric properties of Cu2SnS3 solar cells https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad00c7 |
| 更新(2/22) 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会で以下の発表をしました。 O-2 Cu2SnS3太陽電池の発光スペクトルへのCdSバッファ層形成時の チオ尿素濃度の影響 P-8 二源系ファインチャネルミストCVD法によるMo基板上へのCu2SnS3薄膜の堆積 |
| 更新(8/31) 以下の論文がアクセプトされました。 Journal of Materials Science: Materials in Electronics 34 (2023) 1742 (10 pages) Effect of cover annealing on Cu2SnS3 thin films deposited by dual-source fine-channel mist chemical vapor deposition https://link.springer.com/article/10.1007/s10854-023-11155-6 |
| 更新(8/31) 応用物理学会秋季学術講演会で以下の発表をします。 [20p-P06-2] ZnO/MgO/CuBr1-xIx透明微細構造太陽電池の構造最適化 [20p-P06-6] 3ゾーン管状炉を用いたSn-S雰囲気制御Cu2SnS3薄膜成長法の最適化 [20p-P06-7] CdS層成膜時の(NH2)2CS濃度がCu2SnS3薄膜太陽電池の太陽電池特性に与える影響 [20p-P06-8] GeSx及びS雰囲気の硫化温度がCu2Sn1-xGexS3薄膜のモフォロジーや結晶構造などの諸特性に与える影響の調査 [20p-P06-9] 二源系ファインチャネルミストCVD法によるCu-Sn-Ge-S系薄膜の作製 |
| 更新(8/31) 公益財団法人TAKEUCHI 育英奨学会 助成金に採択されました 元素戦略を考慮した低価格・環境調和・太陽電池の開発 |
| 更新(4/25) 以下の論文がアクセプトされました (1)Journal of Physics D: Applied Physics 56 (2023) 265102. Photoluminescence properties of Cu-poor Cu2Sn1-xGexS3 thin films with varying Ge/(Ge+Sn) ratio https://doi.org/10.1088/1361-6463/accc42 (2)Applied Physics A 129 (2023) 360. Dependence of photoluminescence on sulfurization temperature of Cu2SnS3 thin films https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-023-06641-x |
| 更新(3/20) 以下の発表を行いました 第70回応用物理学会春季学術講演会 [17p-PB03-2] Ge/(Ge+Sn)組成比がCu2(Sn,Ge)S3薄膜太陽電池の電気特性に 与える影響 [17p-PB03-7] ZnO/CuBr1-xIx透明微細構造太陽電池の構造改善 [15a-E502-2] Cu2SnS3系太陽電池の特徴と高効率化技術 |